Новости за 20 декабря 2008 г.

20 декабря 2008 г.

26 ГГц: новый рекорд графеновых транзисторов IBM

26 ГГц: новый рекорд графеновых транзисторов IBM

Учёные из исследовательского центра IBM имени Томаса Уотсона (IBM's Thomas J. Watson Research Center) в Йорктауне, штат Нью-Йорк, ещё на один шаг приблизили эпоху использования графена в качестве альтернативы кремнию, применяемому для производства полупроводников. Согласно сообщению из лаборатории IBM Research, исследователями взята очередная планка в разработке графеновых транзисторов: самый быстрый графеновый полевой транзистор (FET, field-effect transistor) нынче работает на частотах вплоть до 26 ГГц.
20 декабря 2008 г.
Просмотров: 2117
Категория: IT-сфера